OPPO kündigt die weltweit ersten Mobiltelefone mit eingebautem GaN-Ladeschutz an
Innoscience Technology kündigte am 05.09. die Bi-GaN-Serie von bidirektionalen GaN-HEMT-Geräten an, die Platz sparen und ein schnelles Aufladen ermöglichen, ohne unter den die Zuverlässigkeit-Beschränkungen und potenziell gefährlichen Temperaturanstiegen zu leiden, die manchmal bei herkömmlichen Siliziumgeräten zu beobachten sind. Außerdem hat Innoscience bekanntgegeben, dass das führende Unternehmen für Unterhaltungselektronik und mobile Kommunikation, OPPO, die neuen BiGaN-Geräte in seinem Telefon verwendet, um die Lade- und Entladeströme der Batterie zu steuern. Dies ist das erste Mal, dass ein solcher Schutz auf Basis der GaN-Technologie in das Telefon selbst integriert wurde – zuvor musste die Schaltung in das Ladegerät integriert werden.
Bis vor kurzem wurden Silizium-MOSFETs als Leistungsschalter in Mobiltelefonen verwendet. Diese traditionellen Geräte nehmen jedoch nicht nur viel Platz auf der Hauptplatine eines Mobiltelefons ein, wo jeder Millimeter zählt, aber können sie auch beim Schnellladen zu erheblichen Temperaturanstiegen und Leistungsverlusten führen. InnoGaN hat vorteilhafte Eigenschaften wie Hochfrequenz, hohe Effizienz und geringen Widerstand, die für ein effizientes Laden entscheidend sind.
Dank des niedrigen RDS(on) von InnoGaN, der Tatsache, dass es keine parasitären Dioden hat, und der einzigartigen bidirektionalen Eigenschaft der BiGaN-Technologie von Innoscience, kann ein BiGaN-HEMT verwendet werden, um Rücken an Rücken-verbundene NMOS-MOSFETs in einem gemeinsamen Source-Konfiguration zu ersetzen, um ein bidirektionales Schalten der Lade- und Entladeströme der Batterie zu erreichen. Dies reduziert den Durchlasswiderstand um 50%, die Chipgröße um 70% und den Temperaturanstieg um 40%.
Das erste allgemein von Innoscience herausgebrachte BiGaN-Gerät ist das INN040W0488, ein bidirektionaler 40-V-GaN-auf-Silizium-HEMT im WLCSP-Gehäuse mit den Abmessungen 2,1mm x 2,1mm. Der Chip unterstützt bidirektionales Schalten mit einem Einschaltwiderstand von nur 4,8mΩ. BiGaN zielt auf Anwendungen wie Überspannungsschutzschaltungen zum Laden von Smartphones, High-Side-Lastschaltkreise und Schaltkreise für Multi-Power-Systeme ab. Innoscience arbeitet ebenfalls daran, die bidirektionale Familie auf niedrigere Durchlasswiderstände sowie höhere Spannungen auszudehnen.
Weitere Informationen:
www.innoscience.com
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